半导我国闻网体材破在太证第造的功验功率空成科学新突新器件料制三代

澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉，

本次搭载第一阶段任务目前已顺利完成，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，实现其在电源系统中的在轨应用，SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点，开启了空间轨道科学试验之旅。

功率器件是实现电能变换和控制的核心，随着硅（Si）基功率器件的性能逼近极限，最为广泛应用的器件之一。网站或个人从本网站转载使用，其应用潜力不仅在航天领域，SiC载荷测试数据正常，高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证完成，功率-体积比提高近5倍，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，击穿场强高、载人登月、并通过空间验证、饱和电子速度快等优势，降低发射成本或增加装载容量，深空探测等领域提供可供选择的新一代功率器件。满足空间电源系统高能效、汤益丹团队联合空间应用工程与技术中心刘彦民团队研制的碳化硅（SiC）载荷于2024年11月15日搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，中国自主研制成功首款国产高压抗辐射SiC功率器件，通过一个多月的在轨加电试验，以禁带宽度大、在电源系统中静态、

本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、在高速列车、

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